อินเทลเพิ่งเปิดตัวชิป 3D NAND แบบ 32 ชั้น ไปวันก่อน ตอนนี้โตชิบาก็เปิดตัวข่มด้วยชิปซ้อนกัน 48 ชั้น โครงสร้างภายในเป็น BiCS เก็บข้อมูลได้สองบิตต่อเซลล์ ชิปแต่ละตัวมีความจุรวม 128 กิกะบิต แม้ว่าจะซ้อนชั้นได้เยอะกว่า แต่ชิปของโตชิบาก็มีความจุต่อชิปน้อยกว่าอินเทลและไมครอนเท่าตัว ทางโตชิบาระบุว่าตอนนี้เริ่มส่งตัวอย่างให้คู่ค้าแล้ว ขณะที่ชิปของอินเทลเข้าสู่กระบวนการผลิตล็อตแรก และจะผลิตด้วยกำลังผลิตเต็มที่ในปลายปีนี้ การผลิตเต็มรูปแบบจะต้องรอโรงงาน Fab2 ในญี่ปุ่นสร้างเสร็จเสียก่อน กำหนดการตอนนี้น่าจะเริ่มผลิตได้ประมาณครึ่งแรกของปี 2016 ที่มา - Toshiba Toshiba, Semiconductor, SSD, Storage