เมื่อกลางปีก่อนในงานเปิดตัว R9 Fury X การ์ดจอรุ่นเรือธงตัวใหม่ที่มาพร้อมกับหน่วยความจำแบบ HBM ซึ่งมีจุดเด่นอยู่ที่แบนด์วิทด์กว้างยังกับทะเลถึง 512GB/s ล่าสุดมีรายงานความคืบหน้าของหน่วยความจำตัวต่อไปอย่าง HBM2 มาแล้ว รายงานชิ้นใหม่ระบุว่าซัมซุงได้เริ่มผลิตหน่วยความจำ HMB2 เป็นจำนวนมากแล้ว โดยฟีเจอร์ใหม่ที่มาพร้อมกับ HBM2 จะมีตั้งแต่การซ้อนชิปหน่วยความจำได้สี่ชั้น เพิ่มแบนด์วิทด์สูงสุดเป็น 1,024GB/s และสามารถเพิ่มความจุสูงสุดถึง 16GB จากรุ่นแรกที่จำกัดอยู่ที่ 4GB สำหรับไลน์การผลิตของซัมซุงจะผลิตบนขนาด 20 นาโนเมตร โดยเริ่มจากตัวสี่ชิปที่ความจุชิปละ 8Gb ก่อน (รวมเป็น 4GB) และจะขยับไปทำรุ่นที่ใช้ชิปซ้อนกัน 8 ตัวในภายหลัง ที่มา - Ars Technica Samsung, Memory, GPU