ซัมซุงเปิดตัวแรม DDR4 แบบ RDIMM สำหรับเซิร์ฟเวอร์ที่ให้พื้นที่แผงละ 128GB สำหรับงานในศูนย์ข้อมูลที่ต้องการพื้นที่แรมสูงๆ โมดูลแรมที่พื้นที่สูงขนาดนี้อาศัยชิปความจุ 4GB จำนวน 36 ชิป (รวมพื้นที่ 144GB แต่เนื่องจากข้อมูลบางส่วนเป็น ECC จึงใช้งานได้จริง 128GB) แต่ะชิปเป็นแผงซิลิกอนความจุ 8Gb จำนวน 4 แผง เชื่อมต่อกันเป็นชิปเดียวด้วยเทคโนโลยีการบรรจุชิป "through silicon via" (TSV) ตอนนี้เริ่มเดินสายการผลิตแล้ว อีกไม่นานน่าจะหาสั่งซื้อมาใช้งานกันได้ ที่มา - Samsung Samsung, Memory, Semiconductor, Enterprise