ซัมซุงประกาศแผนการพัฒนาเทคโนโลยีการผลิตชิปของตัวเองในอนาคต ตั้งเป้าสู่กระบวนการผลิตระดับ 4 นาโนเมตรให้จงได้ แผนการของซัมซุงจะค่อยๆ ลดขนาดของกระบวนการลงทีละขั้น จาก 8 นาโนเมตรไปถึง 4 นาโนเมตร 8LPP (8nm Low Power Plus) จะเป็นการลดขนาดด้วยเทคโนโลยีปัจจุบัน (10 nm) ไปถึงขั้นสุด 7LPP (7nm Low Power Plus) จะเป็นขั้นแรกที่นำเทคนิค EUV (Extreme Ultra Violet) lithography มาใช้งาน 6LPP (6nm Low Power Plus) จะเสริมเทคนิค EUV ด้วยเทคนิค Smart Scaling ของซัมซุงเอง 5LPP (5nm Low Power Plus) จะนำผลพวงจากเทคโนโลยียุคหน้าที่ใช้กับ 4nm มาช่วยให้ลดขนาดลง 4LPP (4nm Low Power Plus) จะใช้เทคโนโลยีใหม่ที่เรียกว่า MBCFET structure (Multi Bridge Channel FET) ทำให้สามารถลดขนาดลงได้ระดับนี้ ซัมซุงระบุว่าจะเริ่มการผลิตระดับ 8 นาโนเมตรได้ภายในปีนี้ และ 7 นาโนเมตรในปี 2018 ส่วนกระบวนการผลิตระดับ 4 นาโนเมตร บริษัทคาดว่าจะทำสำเร็จในปี 2020 นอกจากนี้ ซัมซุงยังจะพัฒนาเทคโนโลยี FD-SOI (Fully Depleted – Silicon on Insulator) ที่ใช้กับชิปด้าน IoT จากของเดิม 28nm ลงมาเหลือ 18nm ด้วย ในแง่ของธุรกิจ ซัมซุงจะแยกธุรกิจผลิตชิปออกมาเป็นฝ่ายเฉพาะ (ใต้บริษัท Samsung Electronics เช่นเดิม) เพื่อรับงานจ้างผลิตจากบริษัทอื่นได้ง่ายขึ้น ลดความกังวลของบริษัทลูกค้าที่อาจเป็นคู่แข่งกับซัมซุงในธุรกิจด้านอื่น (เช่น แอปเปิลหรือ Qualcomm) ปัจจุบันโรงงานผลิตชิปรายใหญ่ของโลกคือ TSMC, Samsung, Intel ที่มา - Samsung, Bloomberg Topics: SamsungHardware