SK Hynix โชว์สเปคเม็ดแรม GDDR6 และ HBM2 เติมฝันการ์ดจอเบอร์แรงปลายปี

SK Hynix ผู้ผลิตชิปเมมโมรีจากเกาหลีใต้ เผยสเปคของชิปเมมโมรีแบบ GDDR6 และ HBM2 ใน Databook ของตัวเองแล้ว ข้อมูลนี้มีประโยชน์สำหรับการคาดเดาเกี่ยวกับกราฟิกการ์ดรุ่นใหม่ๆ ที่จะออกมาต่อจากนี้ครับ

เริ่มที่ GDDR6 จะมากับความจุสูงสุด 8Gb (1GB) ต่อหนึ่งเม็ดแรมที่แบนด์วิดธ์ 12 และ 14Gbps ที่แรงดันไฟ 1.35V พร้อมผลิตจำนวนมากในไตรมาสสุดท้ายปีนี้ ปัจจุบันแรมที่แรงสุดบนกราฟิกการ์ดคือ GDDR5X 11Gbps บน GeForce GTX 1080 รุ่นปรับปรุงใหม่ เมื่อนำสเปคมาคำนวณ การ์ดที่ใช้ GDDR6 14Gbps ต่อแบบ 384 บิต จะทำแบนด์วิดธ์สูงสุดถึง 672GB/s ทั้งนี้ขึ้นอยู่กับคล็อกที่ตั้ง (วิเคราะห์เพิ่มเติม: ถ้าเวลาทัน น่าจะได้เจอใน GeForce GTX 2000)

ด้าน HBM2 ก็มีอัพเดตความจุเป็น 4GB ต่อ 1 stack ที่ความเร็ว 1.6Gbps ถ้าประกอบบนจีพียูแบบ 4 stack จะทำแบนด์วิดธ์ได้ถึง 809GB/s และพบว่าแรมรุ่น 2.0Gbps หายไปจากแคตตาล็อกแล้ว

ที่มา - TPU, SK Hynix (PDF)



Topics: SK HynixGPUHardwareMemory