Micron เปิดตัวหน่วยความจำใหม่ ประสิทธิภาพเหนือกว่า DDR3 หลายเท่า, เริ่มส่งของต้นปีหน้า

เปิดตัวไปตั้งแต่งาน IDF 2011 จากความร่วมมือระหว่างอินเทล และ Micron Technology สำหรับหน่วยความจำประเภท DRAM ความเร็วสูงอย่าง Hybrid Memory Cube (HMC) ที่ประสิทธิภาพเหนือกว่าเทคโนโลยีในปัจจุบันหลายเท่า ซึ่งตอนนี้ Micron ออกมาประกาศแล้วว่าจะเริ่มผลิตหน่วยความจำประเภทนี้ และเริ่มส่งของได้ภายในต้นปีหน้าแล้ว

HMC เป็นหน่วยความจำตัวเลือกที่ทำมาเพื่อแข่งขันกับหน่วยความจำในปัจจุบันอย่าง DDR3 โดยเฉพาะ ความเหนือกว่าของ HMC คือการให้แบนด์วิธที่สูงกว่าถึง 15 เท่าตัว ในขณะที่มีอัตราการบริโภคพลังงานน้อยกว่าราว 70% เมื่อเทียบกับ DDR4 แล้วก็ยังให้แบนด์วิธสูงกว่าห้าเท่า และยังบริโภคพลังงานน้อยกว่า

การได้มาซึ่งประสิทธิภาพที่เหนือกว่าของ HMC นั้นทำได้โดยการวางโมดูลที่มีชิปเรียงตั้งกันในลูกบาศก์วางตรงข้ามกันเอง เชื่อมต่อกันผ่านช่องทางเชื่อมต่อที่เรียกว่า Through Silicon Via (TSV) ซึ่งให้ประสิทธิภาพเหนือกว่าหน่วยความจำรุ่นอื่นๆ

Micron ระบุว่า HMC ชุดแรกจะมีรุ่นโมดูลความจุ 4GB และ 8GB สำหรับจับตลาดเซิร์ฟเวอร์โดยเฉพาะ ปรับแต่งมาเพื่อทำงานร่วมกับชิป Xeon Phi รหัส Knights Landing ได้อย่างดี

อย่างไรก็ตาม Micron ระบุว่าจะยังผลิต DRAM ประเภทอื่นๆ ทั้ง DDR3 และ DDR4 ผ่านแบรนด์ Crucial เนื่องจากตัว HMC เองยังมีฟีเจอร์บางอย่างที่ยังตามหลัง DDR พอสมควร

ที่มา - PCWorld

Micron, Memory,