อินเทลร่วมกับไมครอน พัฒนาหน่วยความจำแฟลช 3D XPoint เร็วกว่า NAND พันเท่า

อินเทลและไมครอนประกาศความสำเร็จของงานวิจัยร่วม 3D XPoint (อ่านว่า ทรี-ดี ครอส-พอยต์) หน่วยความจำแบบแฟลช โดยระบุว่าเป็นหน่วยความจำประเภทใหม่ครั้งแรกในรอบ 25 ปี

3D XPoint ประสิทธิภาพสูงกว่า NAND ได้ถึงพันเท่าตัว ทนทานต่อการใช้งานถึงพันเท่าตัว และหน่วยความจำหนาแน่นกว่าสิบเท่าตัว ทำให้สามารถใช้งานได้ทั้งงานที่ต้องการประสิทธิภาพสูง, พื้นที่ขนาดใหญ่, และต้องการเก็บข้อมูลระยะยาว

การออกแบบของ 3D XPoint ทำให้เซลล์ของหน่วยความจำสามารถซ้อนกันขึ้นไปได้เรื่อยๆ เพื่อเพิ่มความหนาแน่นของหน่วยความจำ อีกจุดที่อินเทลแสดงในแผนภาพ คือแต่ละบิตจะอ้างถึงด้วยความต่างศักย์ของ Selector โดยไม่ต้องใช้ทรานซิสเตอร์เหมือน NAND (อ่านกระบวนการทำงานของ NAND flash ใน EE Times) ทำให้ความหนาแน่นสูงขึ้นมาก แผนภาพของอินเทลไม่ได้บอกรายละเอียดว่ากระบวนการอ่านและเขียนข้อมูลลง 3D XPoint ว่าทำงานอย่างไร

อินเทลคาดว่า 3D XPoint จะทำให้สถาปัตยกรรมคอมพิวเตอร์เปลี่ยนไปโดยเราไม่ต้องมีหน่วยความจำแบบไม่ถาวร (volatile memory) มาคั่นกลางก่อนถึงซีพียูอีกต่อไป แต่เราสามารถเชื่อมต่อ 3D XPoint เข้ากับซีพียูได้โดยตรง

ชิปตัวอย่างจะเริ่มส่งมอบไปยังลูกค้าบางรายภายในปีนี้ หลังจากนี้อินเทลและไมครอนจะแยกกันพัฒนาสินค้าจากเทคโนโลยีนี้ต่อไป

ที่มา - Intel





Intel, Micron, Storage